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Großflächige Ein-Punkt-InGaAs-PIN-Fotodiode Kurzwellenlänge verbessert 0,6-1,7 μm OEM
1. Kurzwellenverstärkte InGaAs-PIN-Fotodiode, spektrale Abdeckung 0,6 μm–1,7 μm (VIS-SWIR-Band). 2.Vier Blendengrößenvarianten: Ø300μm / Ø455μm / Ø950μm / Ø1850μm für unterschiedliche Lichtempfangsanforderungen. 3. Niedriger Dunkelstrom, hoher Shunt-Widerstand und hohes Ansprechverhalten über v
