-
Großflächige Ein-Punkt-InGaAs-PIN-Fotodiode Kurzwellenlänge verbessert 0,6-1,7 μm OEM
1. Kurzwellenverstärkte InGaAs-PIN-Fotodiode, spektrale Abdeckung 0,6 μm–1,7 μm (VIS-SWIR-Band). 2.Vier Blendengrößenvarianten: Ø300μm / Ø455μm / Ø950μm / Ø1850μm für unterschiedliche Lichtempfangsanforderungen. 3. Niedriger Dunkelstrom, hoher Shunt-Widerstand und hohes Ansprechverhalten über v
-
Innen-Außen-Doppel-Zonen-Quadranten-Photovoltaikmodul 400-1100 nm OEM
1. Lichtempfindliches Zweizonen-Innen-Außen-Design: Innen-φ2 mm, Außen-φ10 mm. 2,400-1100-nm-Spektrum, Spitzenreaktion bei 1,06 μm, Empfindlichkeit ≥1,5×10⁴ V/W. 3. Unterschiedliche Dynamikbereichsleistung für die Innenzone (> 70 dB) und die Außenzone (> 57 dB). 4.Hermetische Abdichtung, hohe Stoßfestigkeit, breite T
-
GS-QD2416-3 Φ16mm Quadrant Photoelektrisches Modul 400‑1100nm Kompakt Hoch‑Empfindlich OEM
1. Großer aktiver lichtempfindlicher Quadrantenbereich von Φ16 mm. Spektrale Empfindlichkeit von 2.400–1.100 nm für die Erkennung im sichtbaren Nahinfrarotbereich. 3.Schnelle Reaktion, hochempfindliche Quadrantenerfassung in kompaktem Gehäuse. 4.Wide Betriebstemperaturbereich -40℃ ~ +50℃, gute Umweltanpassungsfähigkeit.
-
GS-QD2410-X Φ10mm Quadrant Fotoelektrische Modul 400‐1100nm TO25 TO37 Paket OEM
1.Integrierter Si-PIN-Quadrantendetektor mit integriertem Verstärker, aktiver Empfangsbereich Φ10 mm. 2.400–1100 nm Spektralreaktion, unterstützt Laserimpulserkennung ab 8 ns. 3. Großer Dynamikbereich von 60 dB bis 125 dB, schnelle Reaktion und hohe Erkennungsempfindlichkeit. 4.13 Modellvarianten mit di
-
GS-FPA-0640P15F 640×512 15µm Gekühlte Array-InGaAs-Detektor TE1/TE2 28-Pin SDIP OEM
1.Gekühltes InGaAs-Flächenarray, Spektraloptionen: 0,9–1,7 μm/1,1–1,9 μm/1,2–2,2 μm. 2.640 × 512 Pixel, 15 μm Pixelabstand, 9,6 mm × 7,68 mm lichtempfindliche Zieloberfläche. 3,28-poliges SDIP-Metallgehäuse, integrierte TEC TE1/TE2-Kühlung, Dual-Gain einstellbar. 4.Wide Betriebstemperatur-40℃~+70
-
GS-FPA-0640P15F-17-C 640×512 15μm nicht gekühlter InGaAs-Detektor mit 64-Pins CLCC
1.Ungekühltes InGaAs-Flächenarray, Spektralband 0,9–1,7 μm. 2.640 × 512 Pixel, 15 μm Pixelabstand, 9,6 mm × 7,68 mm lichtempfindliche Zieloberfläche. 3,64-poliges CLCC-Keramikgehäuse, ultraleicht 1,7 g, eingebaut, keine TEC-Kühlung. 4.Dual-Gain-Auslesung, QE≥70 %, effektive Pixelrate > 99,5 %, in Betrieb
-
GS-FPA-640×512 640×512 25μm Kühlflächen-Array InGaAs-Detektor TE1/TE2 28-Pin MDIP
1.Gekühltes InGaAs-Flächenarray, Spektralband 0,9–1,7 μm. 2.640 × 512 Pixel, 25 μm Pixelabstand, 16 mm × 12,8 mm aktive Zieloberfläche. 3,28-poliges MDIP-Kovar-Hermetikgehäuse, TE1/TE2-TEC-Kühlung, Dual-Gain einstellbar. 4.Niedriger Dunkelstrom ≤0,2 pA, maximale Pixelausleserate 10 MHz, hohe Detektion
-
GS-FPA-320×256-K 320×256 30µm Gekühlter Array-InGaAs-Detektor TE1/TE2 28-Pin MDIP-Gehäuse
1.TE1/TE2 zweistufige TEC-Kühlung optional, unterdrückt wirksam Dunkelstromrauschen. 2. Zwei Spektraloptionen: Standardband 0,9–1,7 μm und erweitertes Band 1,2–2,2 μm. 3,320 x 256 Auflösung, 30 μm Pixel, 9,6 x 7,68 mm großer lichtempfindlicher Bereich. 4.Hermetische 28-polige MDIP-Kovar-Verpackung, stabile Leistung
-
GS-FPA-320×256-C 320×256 30µm ungekühlter InGaAs-Flächenarray-Detektor 44-Pin CLCC OEM
1.Ungekühltes Design ohne TEC-Kühlung, geringer Stromverbrauch 175 mW. 2,320 x 256 Auflösung, 30 μm Pixel, großer lichtempfindlicher Bereich von 9,6 x 7,68 mm. 3.Niedriger Dunkelstrom, hohe Quanteneffizienz ≥70 %, Füllfaktor über 99 %. 4.Kompakte, leichte 44-polige CLCC-Verpackung, nur 1,6 g Gewicht.
