-
GS-FPA-0640P15F 640×512 15μm مكشف InGaAs المبرد في المساحة TE1/TE2 SDIP OEM
1.مصفوفة منطقة InGaAs المبردة، الخيارات الطيفية: 0.9-1.7μm /1.1-1.9μm /1.2-2.2μm. 2.640×512 بكسل، 15μm بكسل، 9.6 مم × 7.68 مم سطح مستهدف حساس للضوء. عبوة معدنية SDIP 3.28 سنًا، تبريد TEC TE1/TE2 مدمج، قابل للتعديل بكسب مزدوج. 4. درجة حرارة التشغيل الواسعة -40 درجة مئوية ~ +70
-
GS-FPA-0640P15F-17-C 640×512 15μm مكشوف InGaAs غير مبرد
1. مجموعة مناطق InGaAs غير المبردة، النطاق الطيفي 0.9-1.7μm. 2.640×512 بكسل، 15μm بكسل، 9.6 مم × 7.68 مم سطح مستهدف حساس للضوء. عبوة سيراميك CLCC 3.64 سنًا، خفيفة للغاية 1.7 جرام، مدمجة بدون تبريد TEC. 4. قراءات مزدوجة الكسب، QE≥70%، معدل البكسل الفعال> 99.5%، التشغيل
-
GS-FPA-640×512 640×512 25 ميكرومتر مبرد مصفوفة كاشف InGaAs TE1/TE2 28-pin MDIP
1.مصفوفة منطقة InGaAs المبردة، النطاق الطيفي 0.9-1.7μm. 2.640×512 بكسل، 25μm بكسل، 16 مم × 12.8 مم سطح نشط مستهدف. عبوة محكم MDIP Kovar ذات 3.28 سنون، تبريد TE1/TE2 TEC، قابل للتعديل بكسب مزدوج. 4. تيار داكن منخفض .20.2pA، الحد الأقصى لمعدل قراءة البكسل 10 ميجا هرتز، كشف عالي
-
GS-FPA-320×256-K 320×256 30μm مكشوف InGaAs المبرد في المساحة TE1/TE2 حزمة MDIP 28-pin
1.TE1/TE2 تبريد TEC على مرحلتين اختياري، ويقمع بشكل فعال الضوضاء الحالية المظلمة. 2. خياران طيفيان: نطاق قياسي 0.9-1.7 ميكرومتر ونطاق ممتد 1.2-2.2 ميكرومتر. دقة 3.320×256، 30μm بكسل، 9.6×7.68 ملم منطقة حساسة للضوء كبيرة. 4. تغليف MDIP Kovar المحكم ذو 28 سنًا، أداء مستقر
-
GS-FPA-320×256-C 320×256 30μm مكشف InGaAs غير مبرد
1. تصميم غير مبرد بدون تبريد TEC، استهلاك منخفض للطاقة 175 ميجاوات. دقة 2.320×256، 30μm بكسل، منطقة حساسة للضوء كبيرة 9.6×7.68 ملم. 3. تيار مظلم منخفض، كفاءة كمية عالية ≥70%، عامل تعبئة يزيد عن 99%. 4. عبوة CLCC صغيرة الحجم وخفيفة الوزن ذات 44 سنًا، بوزن 1.6 جم فقط.
