• جودة مساحة كبيرة نقطة واحدة InGaAs PIN photodiode طول موجة قصير محسن 0.6-1.7μm OEM مصنع

    مساحة كبيرة نقطة واحدة InGaAs PIN photodiode طول موجة قصير محسن 0.6-1.7μm OEM

    1. الثنائي الضوئي InGaAs PIN المعزز ذو الطول الموجي القصير، التغطية الطيفية 0.6μm-1.7μm (نطاق VIS-SWIR). 2. أربعة متغيرات بحجم الفتحة: Ø300μm / Ø455μm / Ø950μm / Ø1850μm لمتطلبات استقبال الضوء المختلفة. 3. تيار مظلم منخفض، مقاومة عالية للتحويل واستجابة عالية عبر v

  • جودة وحدة كهربائية ضوئية ذات منطقة مزدوجة داخلية وخارجية 400-1100nm OEM مصنع

    وحدة كهربائية ضوئية ذات منطقة مزدوجة داخلية وخارجية 400-1100nm OEM

    1. تصميم حساس للضوء ثنائي المنطقة الداخلية والخارجية: داخلي φ2 مم، خارجي φ10 مم. طيف 2.400-1100 نانومتر، استجابة الذروة عند 1.06 ميكرومتر، الاستجابة ≥1.5×10⁴ فولت/وات. 3. أداء ديناميكي مختلف للمنطقة الداخلية (> 70 ديسيبل) والمنطقة الخارجية (> 57 ديسيبل). 4. الختم المحكم، وارتفاع مقاومة الصدمات، واسعة ر

  • جودة وحدة كهروضوئية ربعية GS-QD2416-3 Φ16 مم 400-1100 نانومتر مدمجة عالية الحساسية OEM مصنع

    وحدة كهروضوئية ربعية GS-QD2416-3 Φ16 مم 400-1100 نانومتر مدمجة عالية الحساسية OEM

    1. منطقة حساسة للضوء نشطة رباعية Φ16 مم. استجابة طيفية 2.400-1100 نانومتر للكشف عن الأشعة تحت الحمراء المرئية القريبة. 3. استجابة سريعة واستشعار رباعي عالي الحساسية في السكن المدمج. 4. نطاق درجة حرارة التشغيل الواسع -40 درجة مئوية ~ +50 درجة مئوية، قدرة جيدة على التكيف البيئي.

  • جودة وحدة كهروضوئية ربعية GS-QD2410-X Φ10 مم 400-1100 نانومتر حزمة TO25 TO37 OEM مصنع

    وحدة كهروضوئية ربعية GS-QD2410-X Φ10 مم 400-1100 نانومتر حزمة TO25 TO37 OEM

    1. كاشف رباعي Si-PIN متكامل مع مكبر صوت مدمج، منطقة استقبال نشطة Φ10mm. استجابة طيفية 2.400-1100 نانومتر، تدعم اكتشاف نبض الليزر بدءًا من 8ns. 3. نطاق ديناميكي واسع 60dB-125dB، استجابة سريعة وحساسية كشف عالية. 4.13 متغيرات الطراز مع di

  • جودة GS-FPA-0640P15F 640×512 15μm مكشف InGaAs المبرد في المساحة TE1/TE2 SDIP OEM مصنع

    GS-FPA-0640P15F 640×512 15μm مكشف InGaAs المبرد في المساحة TE1/TE2 SDIP OEM

    1.مصفوفة منطقة InGaAs المبردة، الخيارات الطيفية: 0.9-1.7μm /1.1-1.9μm /1.2-2.2μm. 2.640×512 بكسل، 15μm بكسل، 9.6 مم × 7.68 مم سطح مستهدف حساس للضوء. عبوة معدنية SDIP 3.28 سنًا، تبريد TEC TE1/TE2 مدمج، قابل للتعديل بكسب مزدوج. 4. درجة حرارة التشغيل الواسعة -40 درجة مئوية ~ +70

  • جودة GS-FPA-0640P15F-17-C 640×512 15μm مكشوف InGaAs غير مبرد مصنع

    GS-FPA-0640P15F-17-C 640×512 15μm مكشوف InGaAs غير مبرد

    1. مجموعة مناطق InGaAs غير المبردة، النطاق الطيفي 0.9-1.7μm. 2.640×512 بكسل، 15μm بكسل، 9.6 مم × 7.68 مم سطح مستهدف حساس للضوء. عبوة سيراميك CLCC 3.64 سنًا، خفيفة للغاية 1.7 جرام، مدمجة بدون تبريد TEC. 4. قراءات مزدوجة الكسب، QE≥70%، معدل البكسل الفعال> 99.5%، التشغيل

  • جودة GS-FPA-640×512 640×512 25 ميكرومتر مبرد مصفوفة كاشف InGaAs TE1/TE2 28-pin MDIP مصنع

    GS-FPA-640×512 640×512 25 ميكرومتر مبرد مصفوفة كاشف InGaAs TE1/TE2 28-pin MDIP

    1.مصفوفة منطقة InGaAs المبردة، النطاق الطيفي 0.9-1.7μm. 2.640×512 بكسل، 25μm بكسل، 16 مم × 12.8 مم سطح نشط مستهدف. عبوة محكم MDIP Kovar ذات 3.28 سنون، تبريد TE1/TE2 TEC، قابل للتعديل بكسب مزدوج. 4. تيار داكن منخفض .20.2pA، الحد الأقصى لمعدل قراءة البكسل 10 ميجا هرتز، كشف عالي

  • جودة GS-FPA-320×256-K 320×256 30μm مكشوف InGaAs المبرد في المساحة TE1/TE2 حزمة MDIP 28-pin مصنع

    GS-FPA-320×256-K 320×256 30μm مكشوف InGaAs المبرد في المساحة TE1/TE2 حزمة MDIP 28-pin

    1.TE1/TE2 تبريد TEC على مرحلتين اختياري، ويقمع بشكل فعال الضوضاء الحالية المظلمة. 2. خياران طيفيان: نطاق قياسي 0.9-1.7 ميكرومتر ونطاق ممتد 1.2-2.2 ميكرومتر. دقة 3.320×256، 30μm بكسل، 9.6×7.68 ملم منطقة حساسة للضوء كبيرة. 4. تغليف MDIP Kovar المحكم ذو 28 سنًا، أداء مستقر

  • جودة GS-FPA-320×256-C 320×256 30μm مكشف InGaAs غير مبرد مصنع

    GS-FPA-320×256-C 320×256 30μm مكشف InGaAs غير مبرد

    1. تصميم غير مبرد بدون تبريد TEC، استهلاك منخفض للطاقة 175 ميجاوات. دقة 2.320×256، 30μm بكسل، منطقة حساسة للضوء كبيرة 9.6×7.68 ملم. 3. تيار مظلم منخفض، كفاءة كمية عالية ≥70%، عامل تعبئة يزيد عن 99%. 4. عبوة CLCC صغيرة الحجم وخفيفة الوزن ذات 44 سنًا، بوزن 1.6 جم فقط.