كاميرات SWIR InGaAs & منتجات الاختبار البصرية الإلكترونية تحت الحمراء الشركة المصنعة
شيان غاثر ستار أوبتو إلكترونيكس سيستم كو، ليتد (LeadingOE) is a state-certified high-tech manufacturer & integrated optoelectronic solution provider rooted in شيان، الصين،مدينة ذات موارد أبحاث بصرية عالمية المستوىنحن ندمج البحث والتطوير المستقلين، والإنتاج، وتكامل النظام، وخدمة المبيعات العالمية، تغطي بالكامل المكونات تحت الحمراء والإلكترونية الضوئية، وحدات،كاميرات التصوير ومعدات الاختبار المهنية.
Xi'an Gatherstar Optoelectronic System Co., Ltd
حولنا2016
سنة التأسيس
30~40
الموظفين
1 million-5 million
المبيعات السنوية (USD)
300+
العملاء الذين تم خدمتهم
المنتجات الرئيسية
-
وحدة مقياس مسافة ليزر LRF-18 آمنة للعين بطول 1535 نانومتر من الفئة 1، بحد أقصى 18 كم، شديدة التحمل، 3800 جرام، واجهة OEM مخصصة
1. مصدر ليزر 1535 نانومتر آمن للعين من الفئة 1، أقصى مسافة قياس تصل إلى 18000 متر. 2. تصميم الوحدة العارية طويل المدى، والواجهات المحجوزة الغنية لسهولة تضمين النظام. 3. يدعم نطاقًا فرديًا/مستمرًا، والكشف عن الأهداف المتعددة، والفحص الذاتي ووظيفة الزناد للاستيقاظ. 4. واسعة س
-
LRF‐5 1535nm فئة 1 Eyesafe Laser Rangefinder Module Max 5km Compact 95g OEM واجهة مخصصة
1. مصدر ليزر 1535 نانومتر آمن للعين من الفئة 1، أقصى مسافة قياس تصل إلى 5000 متر. 2. عامل الشكل المدمج للوحدة العارية، خفيف الوزن ≥95 جرام لتكامل النظام بشكل مريح. 3. يدعم نطاقًا فرديًا/مستمرًا، والكشف عن الأهداف المتعددة، والفحص الذاتي ووظيفة الزناد للاستيقاظ. 4. واسع
-
وحدة مقياس مسافة ليزر LRF-3 1535 نانومتر آمنة للعين من الفئة 1، بحد أقصى 3 كم، مدمجة، 55 جرام، واجهة مخصصة من الشركة المصنعة الأصلية
1. مصدر ليزر 1535 نانومتر آمن للعين من الفئة 1، أقصى مسافة قياس تصل إلى 3000 متر. 2. تصميم الوحدة العارية المدمجة للغاية، وخفيفة الوزن ≥55g لسهولة تضمين النظام. 3. يدعم نطاقًا فرديًا/مستمرًا، والكشف عن الأهداف المتعددة، والفحص الذاتي ووظيفة الزناد للاستيقاظ. 4. عملية واسعة
-
مساحة كبيرة نقطة واحدة InGaAs PIN photodiode طول موجة قصير محسن 0.6-1.7μm OEM
1. الثنائي الضوئي InGaAs PIN المعزز ذو الطول الموجي القصير، التغطية الطيفية 0.6μm-1.7μm (نطاق VIS-SWIR). 2. أربعة متغيرات بحجم الفتحة: Ø300μm / Ø455μm / Ø950μm / Ø1850μm لمتطلبات استقبال الضوء المختلفة. 3. تيار مظلم منخفض، مقاومة عالية للتحويل واستجابة عالية عبر v
-
وحدة كهربائية ضوئية ذات منطقة مزدوجة داخلية وخارجية 400-1100nm OEM
1. تصميم حساس للضوء ثنائي المنطقة الداخلية والخارجية: داخلي φ2 مم، خارجي φ10 مم. طيف 2.400-1100 نانومتر، استجابة الذروة عند 1.06 ميكرومتر، الاستجابة ≥1.5×10⁴ فولت/وات. 3. أداء ديناميكي مختلف للمنطقة الداخلية (> 70 ديسيبل) والمنطقة الخارجية (> 57 ديسيبل). 4. الختم المحكم، وارتفاع مقاومة الصدمات، واسعة ر
-
وحدة كهروضوئية ربعية GS-QD2416-3 Φ16 مم 400-1100 نانومتر مدمجة عالية الحساسية OEM
1. منطقة حساسة للضوء نشطة رباعية Φ16 مم. استجابة طيفية 2.400-1100 نانومتر للكشف عن الأشعة تحت الحمراء المرئية القريبة. 3. استجابة سريعة واستشعار رباعي عالي الحساسية في السكن المدمج. 4. نطاق درجة حرارة التشغيل الواسع -40 درجة مئوية ~ +50 درجة مئوية، قدرة جيدة على التكيف البيئي.
-
وحدة كهروضوئية ربعية GS-QD2410-X Φ10 مم 400-1100 نانومتر حزمة TO25 TO37 OEM
1. كاشف رباعي Si-PIN متكامل مع مكبر صوت مدمج، منطقة استقبال نشطة Φ10mm. استجابة طيفية 2.400-1100 نانومتر، تدعم اكتشاف نبض الليزر بدءًا من 8ns. 3. نطاق ديناميكي واسع 60dB-125dB، استجابة سريعة وحساسية كشف عالية. 4.13 متغيرات الطراز مع di
-
GS-FPA-0640P15F 640×512 15μm مكشف InGaAs المبرد في المساحة TE1/TE2 SDIP OEM
1.مصفوفة منطقة InGaAs المبردة، الخيارات الطيفية: 0.9-1.7μm /1.1-1.9μm /1.2-2.2μm. 2.640×512 بكسل، 15μm بكسل، 9.6 مم × 7.68 مم سطح مستهدف حساس للضوء. عبوة معدنية SDIP 3.28 سنًا، تبريد TEC TE1/TE2 مدمج، قابل للتعديل بكسب مزدوج. 4. درجة حرارة التشغيل الواسعة -40 درجة مئوية ~ +70
ميزة الشركة
ختم الثقة ، فحص الائتمان ، RoSH وتقييم قدرة المورد. الشركة لديها نظام صارم لمراقبة الجودة ومختبر اختبار احترافي.
عرض المزيدفريق تصميم داخلي محترف وورشة عمل متقدمة. يمكننا التعاون لتطوير المنتجات التي تحتاجها.
عرض المزيدآلات آلية متقدمة، نظام تحكم صارم للعملية. يمكننا تصنيع جميع المنتجات الإلكترونية الضوئية فوق طلبك
عرض المزيدتعبئة صغيرة بالجملة ومخصصة، فوب، سيف، دي دي يو ودي دي بي. دعنا نساعدك في إيجاد أفضل حل لجميع مخاوفك.
عرض المزيد
-
شركة غيتشر ستار أوبتوإلكترونيك تُنهي مشاركتها بنجاح في معرض تشانغشون الدولي الثالث للأوبتوإلكترونيكس
اختتم معرض تشانغتشون الدولي الثالث للإلكترونيات الضوئية الذي استمر ثلاثة أيام بنجاح في 14 يونيو 2026 في مركز شمال شرق آسيا الدولي للمعارض. تمحور هذا الحدث حول موضوع "مدينة الإلكترونيات الضوئية الصينية، الابتكار من أجل المستقبل"، وقد جمع 890 شركة إلكترونيات بصرية وأكثر من 2000 خبير في الصناعة، مما أد...
-
شركة غيتشر ستار أوبتو إلكترونيك تُنهي مشاركتها بنجاح في معرض الصين الدولي للأوبتو إلكترونيك CIOE 2026-27
عقدت في الفترة من 9 إلى 11 سبتمبر 2026، وانتهت المعرض الدولي الصيني للالكترونيات الضوئية (CIOE 2026) السابع والعشرين بنجاح في مركز شنشن العالمي للمعارض والمؤتمرات.باعتبارها واحدة من أكثر الأحداث المؤثرة في سلسلة الصناعة الكاملة في قطاع الكترونيات الضوئية العالمي، جمع CIOE أكثر من 4000 شركة أوبتو إلك...