Камеры SWIR InGaAs & Инфракрасные оптоэлектронные испытательные приборы Производитель
Xi'an Gatherstar Optoelectronic System Co., Ltd (LeadingOE) является государственным сертифицированным высокотехнологичным производителем и поставщиком интегрированных оптоэлектронных решений, основанным в Сиане, Китай,Город с мировыми ресурсами оптических исследованийМы интегрируем независимые исследования и разработки, производство, интеграцию систем и глобальное обслуживание продаж, полностью охватывающие инфракрасные и оптоэлектронные компоненты, модули,Камеры визуализации и профессиональное
Xi'an Gatherstar Optoelectronic System Co., Ltd
О нас2016
Год основания
30~40
Работники
1 million-5 million
Годовые продажи (USD)
300+
Служение клиентам
ТОП ПРОДУКТЫ
-
LRF-18 1535нм Лазерный дальномерный модуль Класса 1 Безопасный для глаз Макс. 18 км Тяжелый режим работы 3800г OEM Пользовательский интерфейс
1. Безопасный для глаз лазерный источник класса 1, длина волны 1535 нм, максимальное расстояние измерения до 18000 м. 2. Конструкция с голым модулем большого радиуса действия, богатые зарезервированные интерфейсы для простого встраивания системы. 3. Поддерживает одиночный/непрерывный диапазон, обнаружение нескольких целей, функцию самопроверки и триггера пробуждения. 4.Широкий
-
LRF-5 1535нм Лазерный дальномерный модуль класса 1, безопасный для глаз, макс. 5 км, компактный, 95 г, OEM, пользовательский интерфейс
1. Безопасный для глаз лазерный источник класса 1, длина волны 1535 нм, максимальное расстояние измерения до 5000 м. 2. Компактный форм-фактор без модуля, легкий вес (вес менее 95 г) для удобной системной интеграции. 3. Поддерживает одиночный/непрерывный диапазон, обнаружение нескольких целей, функцию самопроверки и триггера пробуждения. 4. Широкий
-
LRF-3 1535нм Лазерный дальномер класса 1, безопасный для глаз, максимальная дальность 3 км, компактный, 55 г, OEM, пользовательский интерфейс
1. Безопасный для глаз лазерный источник класса 1, длина волны 1535 нм, максимальное расстояние измерения до 3000 м. 2. Сверхкомпактная конструкция с голым модулем, легкий вес (вес менее 55 г), что упрощает встраивание системы. 3. Поддерживает одиночный/непрерывный диапазон, обнаружение нескольких целей, функцию самопроверки и триггера пробуждения. 4. Широкий режим работы
-
Краткочастотный фотодиод с одной точкой InGaAs PIN с большой площадью Улучшенная длина волны 0,6-1,7 мкм OEM
1. Коротковолновый улучшенный PIN-фотодиод InGaAs, спектральный охват 0,6–1,7 мкм (диапазон VIS-SWIR). 2. Четыре варианта размера апертуры: 300 мкм / 455 мкм / 950 мкм / 1850 мкм для различных требований к светоприему. 3. Низкий темновой ток, высокое сопротивление шунта и высокая чувствительность по v.
-
Фотоэлектрический модуль внутренней и внешней двойной зоны 400-1100 нм OEM
1. Внутренне-внешняя двухзонная светочувствительная конструкция: внутренний диаметр 2 мм, внешний диаметр 10 мм. Спектр 2,400–1100 нм, пиковый отклик при 1,06 мкм, чувствительность ≥1,5×10⁴ В/Вт. 3. Различные характеристики динамического диапазона для внутренней зоны (>70 дБ) и внешней зоны (>57 дБ). 4.Герметическое уплотнение, высокая ударопрочность, широкий t
-
GS-QD2416-3 Φ16mm Квадрант фотоэлектрический модуль 400‐1100nm компактный высокочувствительный OEM
1. Большая активная светочувствительная область квадранта диаметром 16 мм. Спектральный отклик 2,400–1100 нм для обнаружения в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне. 3.Быстрый отклик, высокочувствительное квадрантное зондирование в компактном корпусе. 4. Широкий диапазон рабочих температур -40℃ ~ +50℃, хорошая адаптируемость к окружающей среде.
-
GS-QD2410-X Φ10mm Квадрант фотоэлектрический модуль 400‐1100nm TO25 TO37 Пакет OEM
1. Интегрированный квадрантный детектор Si-PIN со встроенным усилителем, активная зона приема Φ10 мм. Спектральный отклик 2,400–1100 нм, поддерживает обнаружение лазерных импульсов, начиная с 8 нс. 3. Широкий динамический диапазон 60–125 дБ, быстрый отклик и высокая чувствительность обнаружения. 4.13 варианты модели с di
-
GS-FPA-0640P15F 640×512 15 мкм Охлаждаемая матрица детекторов InGaAs TE1/TE2 28-конт. SDIP OEM
1. Охлаждаемая матрица InGaAs, спектральные варианты: 0,9-1,7 мкм/1,1-1,9 мкм/1,2-2,2 мкм. 2,640×512 пикселей, шаг пикселя 15 мкм, светочувствительная целевая поверхность 9,6×7,68 мм. 3,28-контактный металлический корпус SDIP, встроенное охлаждение TEC TE1/TE2, регулировка двойного усиления. 4.Широкая рабочая температура-40℃~+70.
Преимущество компании
Печать доверия, проверка кредитоспособности, RoSH и оценка способности поставщика. Компания имеет строгую систему контроля качества и профессиональную лабораторию.
Посмотреть большеВнутренняя команда профессиональных дизайнеров и современный механический цех. Мы можем сотрудничать для разработки необходимых вам продуктов.
Посмотреть большеПродвинутые автоматические машины, строгая система управления процессом. Мы можем изготовить все оптоэлектронные продукты за пределами вашего спроса.
Посмотреть большеКрупнооптовая и индивидуальная мелкая упаковка, FOB, CIF, DDU и DDP. Позвольте нам помочь вам найти лучшее решение для всех ваших проблем.
Посмотреть больше
-
Gatherstar Optoelectronic успешно завершила участие в 3-й международной выставке оптикоэлектроники в Чанчуне
Третья Чанчуньская международная выставка оптоэлектроники, проходившая три дня, успешно завершилась 14 июня 2026 года в Международном выставочном центре Северо-Восточной Азии. Мероприятие, посвященное теме «Город оптоэлектроники Китая, инновации для будущего», собрало 890 оптоэлектронных предприятий ...
-
Gatherstar Optoelectronic успешно завершила участие в CIOE 2026 — 27-й Китайской международной выставке оптоэлектроники
27-я Китайская международная выставка оптоэлектроники (CIOE 2026), проходившая с 9 по 11 сентября 2026 года, успешно завершилась в выставочном и конференц-центре Shenzhen World. Являясь одним из самых влиятельных мероприятий в глобальном секторе оптоэлектроники, охватывающим всю цепочку создания сто...