GS-LDA512P25S/M/L-17-C 512×1 25μm كاشف InGaAs غير مبرد خطي CDIP 22MHz قناة واحدة
مكان المنشأ:الصين
اسم العلامة التجارية:Gatherstar (Leading)
شهادة:CE; ISO
رقم الموديل:GS-LDA512P25S/م/L-17-C
الحد الأدنى لكمية الطلب:1 قطعة
سعر:Contact Us
شروط الدفع:تي/تي
وصف المنتج
مقدمة
سلسلة GS-LDA512P25-C هي كاشف مجموعة خطية InGaAs بالقرب من الأشعة تحت الحمراء غير مبرد. وهي تتبنى رقاقة InGaAs PIN photodiode المستوية ، مع 512 * 1 صف واحد من البكسلات ومسافة 25 ميكرو متراً من البكسلات ، تغطي 0.9-1.طيف الأشعة تحت الحمراء الموجة القصيرة 7 ميكرو مترا. تتوفر ثلاثة أنواع من ارتفاع البكسلات: 25*25 ميكرومتر (النوع S) ، 25*250 ميكرومتر (النوع M) ، 25*500 ميكرومتر (النوع L).أنها تدعم خروج إشارة عالية السرعة قناة واحدة لمقاييس الطيف وتكامل معدات فحص الخط الصناعي.
خصائص المنتج
- تخطيط البكسلات: 512 * 1 ، مسافة البكسلات 25μm ؛ خيارات ارتفاع البكسلات: 25 * 25μm ((S) ، 25 * 250μm ((M) ، 25 * 500μm ((L))
- عبوات السيراميكية CDIP ذات 28 دبوسًا
- مستشعر درجة حرارة متكامل داخلي
- الاستجابة الطيفية: 0.9 ميكرومتر ~ 1.7 ميكرومتر
- نسبة البكسل الصحيحة > 99%
- كفاءة الكم > 70%
- خروج إشارة قناة واحدة، وتردد القراءة الأقصى يصل إلى 22 ميغاهرتز
المواصفات التقنية
| البند | المعلم |
|---|---|
| النموذج | GS-LDA512P25-C |
| نوع الكاشف | رقم تعريف الهوية (PIN) |
| النطاق الطيفي | 0.9 ️ 1.7μm |
| تنسيق البكسل | 512 * 1 |
| مساحة البكسل | 25μm |
| حجم البكسل-S | 25 * 25μm |
| حجم البكسل-M | 25 * 250μm |
| حجم البكسل-L | 25 * 500μm |
| مقاس القطع | 15.3 * 4.5 ملم |
| التعبئة | 28 دبوساً ديب السيراميك (CDIP) |
| حجم الحزمة | 35.56 * 15.61 * 7.15 ملم |
| الوزن | 5.09 غرام |
| التبريد | غير مبردة |
| جهاز استشعار درجة الحرارة | مدمجة |
| كفاءة الكم | > 70% |
| معدل البكسل الفعال | > 99٪ |
| الناتج | قناة واحدة، تصل إلى 22 ميغاهرتز |
ملاحظة: المواصفات هي للمراجع فقط وتخضع للتغيير دون إشعار مسبق.
التطبيقات
- تصوير الأشعة تحت الحمراء قصيرة الموجة
- فحص عيوب سطح أشباه الموصلات
- تصنيف النفايات الصناعية والمواد
- أدوات تحليل الطيف الأشعة تحت الحمراء القريبة
كفاءة الكم
الأسئلة الشائعة
السؤال 1: ما هي أنواع البكسل المتاحة لسلسلة LDA512-C؟
ج: ثلاثة خيارات: LDA512P25S17C ((25*25μm) ، LDA512P25M17C ((25*250μm) ، LDA512P25L17C ((25*500μm).
س2: ما هو الحد الأقصى لمعدل الخروج القناة الواحدة؟
الجواب: القناة الواحدة يمكن أن تصل إلى 22 ميغاهرتز.
س3: ما هو شكل الحزمة المعتمدة؟
ج: حزمة CDIP السيراميكية DIP ذات 28 دبوسًا بأبعاد 35.56 * 15.61 * 7.15 ملم.
ملخص المنتج
1. مجموعة InGaAs الخطية غير المبردة، النطاق الطيفي 0.9-1.7μm. 2.512 × 1 بكسل، 25 ميكرومتر بكسل، QE> 70%. عبوة سيراميك CDIP 3.28 سنًا، مستشعر درجة حرارة مدمج. 4. إخراج قناة واحدة، الحد الأقصى لتردد القراءة 22 ميجا هرتز؛ ثلاثة متغيرات لارتفاع البكسل.
المنتجات ذات الصلة
-
GS-LDA512P25M/L-17-T1 512×1 25μm مكشف InGaAs خطي متبريد معدني DIP 22MHz قناة واحدة
1. مجموعة خطية InGaAs مبردة، النطاق الطيفي 0.9-1.7μm. 2.512 × 1 بكسل، 25 ميكرومتر بكسل، QE> 70%. عبوة معدنية DIP 3.28 سنًا، مستشعر درجة حرارة مدمج. 4. إخراج قناة واحدة، أقصى تردد للقراءة 22 ميجاهرتز، خياران لارتفاع البكسل.
-
GS-LDA1024P12.5S-17-T1 1024×1 12.5 ميكرومتر مبرد خطي InGaAs كاشف معدني DIP 22 ميجاهرتز ثنائي القناة
1. مجموعة خطية InGaAs مبردة، النطاق الطيفي 0.9-1.7μm. 2.1024×1 بكسل، 12.5μm بكسل، QE> 70%. عبوة معدنية DIP 3.28 سنًا، مستشعر درجة حرارة مدمج. 4. إخراج ثنائي القناة، الحد الأقصى لتردد القراءة 22 ميجاهرتز.
-
GS-LDA1024P12.5S-17-C 1024×1 12.5 ميكرومتر كاشف خطي غير مبرد من إنديوم جاليوم زرنيخيد (InGaAs) حزمة CDIP مخرج مزدوج 22 ميجاهرتز
1. مصفوفة InGaAs الخطية غير المبردة، النطاق الطيفي 0.9–1.7μm. 2.1024×1 بكسل، 12.5μm بكسل، QE> 70%. عبوة سيراميك CDIP 3.28 سنًا، مستشعر درجة حرارة مدمج. 4. إخراج ثنائي القناة، الحد الأقصى لتردد القراءة 22 ميجاهرتز.
اتصل بنا
يمكنك الاتصال بنا في أي وقت!
