-
GS-LDA512P25M/L-17-T1 512×1 25μm مكشف InGaAs خطي متبريد معدني DIP 22MHz قناة واحدة
1. مجموعة خطية InGaAs مبردة، النطاق الطيفي 0.9-1.7μm. 2.512 × 1 بكسل، 25 ميكرومتر بكسل، QE> 70%. عبوة معدنية DIP 3.28 سنًا، مستشعر درجة حرارة مدمج. 4. إخراج قناة واحدة، أقصى تردد للقراءة 22 ميجاهرتز، خياران لارتفاع البكسل.
-
GS-LDA512P25S/M/L-17-C 512×1 25μm كاشف InGaAs غير مبرد خطي CDIP 22MHz قناة واحدة
1. مجموعة InGaAs الخطية غير المبردة، النطاق الطيفي 0.9-1.7μm. 2.512 × 1 بكسل، 25 ميكرومتر بكسل، QE> 70%. عبوة سيراميك CDIP 3.28 سنًا، مستشعر درجة حرارة مدمج. 4. إخراج قناة واحدة، الحد الأقصى لتردد القراءة 22 ميجا هرتز؛ ثلاثة متغيرات لارتفاع البكسل.
-
GS-LDA1024P12.5S-17-T1 1024×1 12.5 ميكرومتر مبرد خطي InGaAs كاشف معدني DIP 22 ميجاهرتز ثنائي القناة
1. مجموعة خطية InGaAs مبردة، النطاق الطيفي 0.9-1.7μm. 2.1024×1 بكسل، 12.5μm بكسل، QE> 70%. عبوة معدنية DIP 3.28 سنًا، مستشعر درجة حرارة مدمج. 4. إخراج ثنائي القناة، الحد الأقصى لتردد القراءة 22 ميجاهرتز.
-
GS-LDA1024P12.5S-17-C 1024×1 12.5 ميكرومتر كاشف خطي غير مبرد من إنديوم جاليوم زرنيخيد (InGaAs) حزمة CDIP مخرج مزدوج 22 ميجاهرتز
1. مصفوفة InGaAs الخطية غير المبردة، النطاق الطيفي 0.9–1.7μm. 2.1024×1 بكسل، 12.5μm بكسل، QE> 70%. عبوة سيراميك CDIP 3.28 سنًا، مستشعر درجة حرارة مدمج. 4. إخراج ثنائي القناة، الحد الأقصى لتردد القراءة 22 ميجاهرتز.
