Großflächige Ein-Punkt-InGaAs-PIN-Fotodiode Kurzwellenlänge verbessert 0,6-1,7 μm OEM

Herkunftsort:China
Markenname:Gatherstar (Leading)
Zertifizierung:CE; ISO
Mindestbestellmenge:1 Stück
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Zahlungsbedingungen:T/T
Produktbeschreibung

1. Produktübersicht

Es handelt sich um eine kurze Wellenlänge erweiterte Großflächen-InGaAs PIN-Fotodioden-Serie.Vier Modelle mit unterschiedlichen Empfangsöffnungsgrößen sind erhältlichDas Gerät mit ebener Struktur verfügt über einen geringen Leckstrom, eine hohe Shuntwiderstandsfähigkeit, eine hohe Reaktionsfähigkeit und eine geringe Absorption von Streuungen.Es wird häufig für die optische Leistungsüberwachung verwendet, Spektralanalyse, Feuchtigkeits- und Gasleckageerkennung, Infrarot-Erfassung und Ferntemperaturmessung.

2. Hauptmerkmale

  • Hoch zuverlässige planare Splitterkonstruktion
  • VIS-SWIR-Spektralantwort: 0,6 μm bis 1,7 μm
  • Leistung bei schwarzem Strom mit geringer Leckage
  • Hohe Shuntwiderstandsfähigkeit
  • Hohe Reaktionsfähigkeit bei mehrfach charakteristischen Wellenlängen
  • Niedrige Absorption
  • Anpassbares Chipdesign und Verpackungsmöglichkeiten

3. technische Spezifikationen

Allgemeine Beschreibungen

Modell Nr. Spektralbereich Größe der Blende Chiplänge Chipbreite Splitterdicke
μm μm μm μm μm
Nummer der Zulassung 0.6-1.7 Ø 300 410 ± 15 410 ± 15 150 ± 20
Nummer des Herstellers: Ø 455 605 ± 15 605 ± 15 300 ± 20
Nummer des Herstellers: Ø 950 1070 ± 15 1070 ± 15 300 ± 20
PIN2000-17V-D Ø 1850 2055 ± 15 2055 ± 15 300 ± 20


Absolute Höchstratings

Modell Nr. Umspannung Umkehrstrom Vorwärtsstrom Umgebungstemperatur*1
Im Einsatz Auf Lager
V mA mA °C °C °C °C
Max, du bist ein guter Mann. Max, du bist ein guter Mann. Max, du bist ein guter Mann. - Ich weiß nicht. Max, du bist ein guter Mann. - Ich weiß nicht. Max, du bist ein guter Mann.
Nummer der Zulassung 10 10 10 - 40 +85 - 40 +125
Nummer des Herstellers:
Nummer des Herstellers:
PIN2000-17V-D

*1:Nicht kondensierende Umgebung


Spezifikationen ((TAMB=23°C)

Modell Nr. Dunkler Strom Shuntwiderstand Kapazität Bandbreite von 3 dB
nA MΩ pF MHz
@-5 V @-10 mV @1 MHz, 0 V @1 MHz, -5 V @-5 V, 50Ω
Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann. - Ich weiß nicht. Das ist typisch. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann. - Ich weiß nicht. Das ist typisch.
Nummer der Zulassung 0.1 0.5 100 500 20 25 10 15 150 220
Nummer des Herstellers: 0.3 1.5 60 300 40 50 20 25 90 110
Nummer des Herstellers: 1 5 20 100 160 200 80 100 20 25
PIN2000-17V-D 5 20 5 25 640 800 320 400 6 8


Modell Nr. Verantwortungsbewußtsein NEP
A/W 1014 W/Hz
@ 0,65 μm, 0 V @ 0,85 μm, 0 V @1,3 μm, 0 V @ 1,55 μm, 0 V @ 1,55 μm, 0 V
- Ich weiß nicht. - Ich weiß nicht. - Ich weiß nicht. - Ich weiß nicht. Das ist typisch. Max, du bist ein guter Mann.
Nummer der Zulassung 0.2 0.35 0.8 0.9 1 2
Nummer des Herstellers: 1.5 3
Nummer des Herstellers: 2 4
PIN2000-17V-D 4 8


4. Anwendungen

  • Überwachung der optischen Leistung
  • Spektralanalyseinstrumente
  • Feuchtigkeitsdetektion
  • Gasleckage nachweis
  • Geheime Infrarot-Erfassung
  • Fernmessung der Temperatur

5. häufig gestellte Fragen

F1: Wie groß ist der Spektralreaktionsbereich dieser Serie?

A: 0,6 μm-1,7 μm, kurze Wellenlänge verbessert für die sichtbare Kurzwellen-Infrarotdetektion.

F2: Welche Dichtungsgrößen sind verfügbar?

A: Ø300μm, Ø455μm, Ø950μm und Ø1850μm in vier Größen.

F3: Unterstützt diese Serie die Anpassung?

A: Ja, Chipparameter und Verpackungslösungen können angepasst werden.

F4: Welche Grenzwerte für Betriebstemperatur und Lagertemperatur gelten?

A: Betrieb: -40°C ~ +85°C; Lagerung: -40°C ~ +125°C, Kondensationsfreiheit erforderlich.

Produktübersicht

1. Kurzwellenverstärkte InGaAs-PIN-Fotodiode, spektrale Abdeckung 0,6 μm–1,7 μm (VIS-SWIR-Band). 2.Vier Blendengrößenvarianten: Ø300μm / Ø455μm / Ø950μm / Ø1850μm für unterschiedliche Lichtempfangsanforderungen. 3. Niedriger Dunkelstrom, hoher Shunt-Widerstand und hohes Ansprechverhalten über v

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