Aktueller Firmenfall über Waferverbindungsprüfunglösung

Waferverbindungsprüfunglösung

2026-08-28

1. Funktionsprinzip

Wafer-Bonding ist eine Technologie zur Wafer-Level-Verpackung. Sie verbindet zwei oder mehr spiegelpolierte Wafer aus gleichem oder unterschiedlichem Material fest miteinander. Diese Verpackung schützt empfindliche innere Strukturen von Wafern und macht funktionale Teile stabiler und zuverlässiger für den Langzeitgebrauch.

Viele Faktoren während des Bondings können die Bonding-Qualität beeinträchtigen und Schnittstellendefekte verursachen. Es gibt nicht viele Möglichkeiten, die Bonding-Qualität zu überprüfen, und die optische Inspektion ist eine der gängigsten Methoden. Sie beleuchtet die Waferoberfläche und beurteilt dann Defekte anhand von reflektierten oder gestreuten Lichtsignalen, die gesammelt werden.

Für Trägerplatten oder Wafer aus SiC, GaAs, InP und anderen Halbleitermaterialien sind diese Materialien halbtransparent oder opak, sodass sichtbares Licht nicht klar durchdringen kann, um Bonding-Defekte zu erkennen. Kurzwellige Infrarotkameras können diese Materialien gut durchdringen, um sie zu beobachten.

Wenn sich zwischen dem Wafer und der Trägerplatte ungebundene Bereiche (Luftblasen) befinden, wird das Licht auf den Ober- und Unterseiten dieser leeren Zonen wiederholt reflektiert. Bei normal gebundenen Bereichen dringt das Licht direkt hindurch. Die Kamera verarbeitet diesen Lichtunterschied und zeigt einen klaren Hell-Dunkel-Kontrast auf dem Bildschirm, um Defekte zu unterscheiden.

2. Vorteile

  • Berührungslos und schadensfrei: Es verwendet Infrarotlicht zur Bildgebung, sodass keine Spuren oder Schäden durch physischen Kontakt auf den Wafern hinterlassen werden.
  • Schnell und hochpräzise: Es kann den gesamten Wafer scannen oder in kleine lokale Bereiche hineinzoomen. Eine Aufnahme beendet die Inspektion mit hoher Geschwindigkeit und Genauigkeit.
  • Klare Inspektionsergebnisse: Hochempfindliche InGaAs-Infrarotkameras mit Infrarotlichtquellen erzeugen hochauflösende Bilder mit hohem Kontrast, wodurch Defekte leicht zu erkennen sind.
  • Breite Anwendung: Funktioniert mit den meisten Wafermaterialien und passt für Wafer aller gängigen Größen.
  • Wird mit Display- und Steuerungssoftware geliefert und unterstützt die Sekundärentwicklung.

3. Systemzusammensetzung

Das Inspektionssystem besteht aus vier Hauptteilen: Lichtquelle, Arbeitstisch, Infrarotkamera und Computer. Die Systemstruktur ist in der folgenden Abbildung dargestellt.

Beim Testen passen Sie die Kameraposition und die Brennweite des Objektivs an, um den Bildabstand basierend auf Ihrem Wafertyp und der Größe der zu prüfenden Defekte zu ändern.

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Von oben nach unten sind dies: Infrarotkamera, optisches Objektiv, gebundener Wafer, Infrarotlichtquelle.

4. Testbilder

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Defektbilder verschiedener gebundener Wafer, aufgenommen mit einer kurzwelligen Infrarotkamera, abgestimmt mit Infrarotbeleuchtungsquellen.

5. Produktspezifikationen

5.1 Kurzwellige Infrarotkamera

Parameter Spezifikation
Detektortyp InGaAs FPA
Spektralbereich 0,9 μm ~ 1,7 μm
Auflösung 640 × 512
Pixelgröße 15 μm
Aktiver Bereich 9,6 mm × 7,68 mm
Quanteneffizienz >70% @ 1,0 μm – 1,6 μm
Effektive Pixelfrequenz >99,5%
Kühlltyp ungekühlt
Bildrate 50 Hz
Fenstermodus Unterstützt ROI an beliebiger Position
Shutter-Typ Global Shutter
Belichtungszeit 1 μs—1/Bildrate
Digitale Schnittstelle 8/14-Bit GigE
Analoge Ausgabeformat PAL / NTSC (Optional, kundenspezifisch auf Anfrage)

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5.2 Kurzwellige Infrarotlinse

Parameter Spezifikation
Spektralbereich 0,9 μm ~ 1,7 μm
Brennweite Anpassbar

5.3 Infrarotlichtquelle

Parameter Spezifikation
Farbe/Wellenlänge SWIR
Beleuchtungsfläche Anpassbar
Beleuchtungstyp Flächenlichtquelle